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丝印：90N3LLH6；Package：PowerFLAT；N-channel 30 V, 0.0038 廓 typ., 24 A STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 package Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance 文件：725.82 Kbytes 页数：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
详细参数
- 型号：
90N3LLH6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
QFN |
32360 |
ST/意法全新特价STL90N3LLH6即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ST/意法半导体 |
22+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6006 |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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ST |
23+ |
2510 |
原厂原装正品 |
询价 | |||
ST |
23+ |
PowerFLAT 5x6 WF |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
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ST/意法 |
24+ |
DFN5*6 |
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QFNPOW |
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更新时间2025-9-13 14:14:00
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