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STL90N3LLH6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号 |
STL90N3LLH6 |
功能描述 | N-channel 30 V, 0.0038 廓 typ., 24 A STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in PowerFLAT??5x6 package |
丝印标识 | |
封装外壳 | PowerFLAT |
文件大小 |
725.82 Kbytes |
页面数量 |
16 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 13:01:00 |
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STL90N3LLH6规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
特性 Features
• RDS(on) * Qg industry benchmark
• Extremely low on-resistance RDS(on)
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power losses
• Very low switching gate charge
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号:
STL90N3LLH6
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 30V 0.0028 24A STripFET VI
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
QFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
STM |
24+ |
QFN8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DFN5X6 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12820 |
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ST |
23+ |
PowerFLAT 5x6 WF |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
DFN5X6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |