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8822VAVG130GTN0810

GT系列大容量85℃标准螺栓型电解电容器

Fenghua

风华高科

AL8822

50V, 2A BOOST LED DRIVER

文件:275.37 Kbytes 页数:15 Pages

DIODES

美台半导体

AME8822

High PSRR, 250mA CMOS LDO

文件:217.23 Kbytes 页数:18 Pages

AME

安茂微电子

AO8822

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field

General Description The AO8822 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by it

文件:118.78 Kbytes 页数:4 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • 尺寸:

    Φ76×130mm

  • 寿命:

    2000H

  • 温度特性:

    85°C

  • 额定电压:

    400V

  • 公差:

    ±15%

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多8822V供应商 更新时间2026-3-10 9:50:00