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71V3559S80BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V3559S80BG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
IDT71V3559S80BG	文件：996.97 Kbytes Page：28 Pages	128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs Description The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or 文件：996.97 Kbytes 页数：28 Pages	IDT	IDT
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更多71V3559S80BG供应商更新时间2026-2-5 15:01:00