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71V416S15YG8

3.3V CMOS Static RAM

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

71V416S15YG8

包装:卷带(TR)剪切带(CT) 封装/外壳:44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    71V416S15YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多71V416S15YG8供应商 更新时间2024-4-29 15:00:00