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71V547S100PFG	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, flow-through outputs ◆ Supports high performance system speed - 95 MHz (8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized signal eliminates the need to control OE 文件：297.92 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V547S100PFG	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM 文件：711.63 Kbytes 页数：20 Pages	IDT	IDT
71V547S100PFG8	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, flow-through outputs ◆ Supports high performance system speed - 95 MHz (8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized signal eliminates the need to control OE 文件：297.92 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V547S100PFGI	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, flow-through outputs ◆ Supports high performance system speed - 95 MHz (8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized signal eliminates the need to control OE 文件：297.92 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V547S100PFGI8	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆ 128K x 36 memory configuration, flow-through outputs ◆ Supports high performance system speed - 95 MHz (8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized signal eliminates the need to control OE 文件：297.92 Kbytes 页数：21 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V547S100PFG8	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM 文件：711.63 Kbytes 页数：20 Pages	IDT	IDT
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71V547S100PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
71V547S100PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

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