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71V547S100PFG	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V547S100PFG	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V547S100PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V547S100PFG8	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V547S100PFGI	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V547S100PFGI8	文件：297.92 Kbytes Page：21 Pages	128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT™ Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V547S100PFG8	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V547S100PFGI	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V547S100PFGI8	文件：711.63 Kbytes Page：20 Pages	Synchronous SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V547S100PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
71V547S100PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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