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71V65603S133PFG	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 150MHz (3.8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W ( 文件：313.82 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V65603S133PFG8	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 150MHz (3.8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W ( 文件：313.82 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V65603S133PFGI	文件：313.82 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs ZBT™ Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 150MHz (3.8ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W ( 文件：313.82 Kbytes 页数：27 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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产品属性

产品编号：
71V65603S133PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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