71V416S15PHG规格书应用电路贸易商集成器-114ic电子网

首页 >71V416S15PHG>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
71V416S15PHG	文件：109.84 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 4 Meg (256K x 16-Bit)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15PHG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15PHG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V416S15PHG8	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15PHGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15PHGI8	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15PHGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V416S15PHGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V416S15BEG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15BEGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15YG	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V416S15YGI	文件：645.53 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15BEG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15BEGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15PHG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15PHGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15PHI	文件：107.36 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15Y	文件：29.07 Kbytes Page：2 Pages	3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(256Kx16-BIT) DESCRIPTION: TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shighperfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-ofthe-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfo	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15YG	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V416S15YGI	文件：90.4 Kbytes Page：9 Pages	3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit) Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

产品属性

产品编号：
71V416S15PHG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（256K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
44-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	71V416S15PHG	RENESAS(瑞萨)/IDT	2022+原装正品	TSOPII-44	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
深圳市慧业盛科技有限公司	71V416S15PHG	N/A	23+	N/A	540	全新、原装	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	71V416S15PHG	RENESAS(瑞萨)	23+	44-TSOP (18.41L X 10.16W X 0.8	1350	全新、原装	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	71V416S15PHG	IDT	21+	TSOP	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	71V416S15PHG		23+	N/A	12550	正品授权货源可靠	询价
深圳市锐视安科技有限公司	71V416S15PHG	IDT	19+	NA	30000	原装正品现货,可开发票,假一赔十	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	71V416S15PHG	IDT	2020+	SOP-44	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
上海市鑫鸿达电子	71V416S15PHG	Integrated Device Technology (	2022+		1	全新原装货期两周	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	71V416S15PHG	IDT, Integrated Device Technol	21+	44-TSOP II	56200	一级代理/放心采购	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	71V416S15PHG	RENESAS(瑞萨)/IDT	1921+	TSOPII-44	3575	向鸿仓库现货,优势绝对的原装!	询价

更多71V416S15PHG供应商更新时间2024-4-29 15:00:00

产品属性

相关规格书

相关库存