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71V016SA10BFG	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA10BFG	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V016SA10BFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-LFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA	ETC	ETC
71V016SA10BFG8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA10BFGI	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA10BFGI8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA10BFG8	文件：116.03 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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71V016SA10BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-LFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA	ETC	ETC

产品属性

产品编号：
71V016SA10BFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-LFBGA
供应商器件封装：
48-CABGA（7x7）
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA

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