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71V30S55TFG	文件：376.71 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ High-speed access – Commercial: 25/55ns (max.) – Industrial 35ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT71V30S — Active: 375mW (typ.) — Standby: 5mW (typ.) – IDT71V30L — Active: 375mW (typ.) — Standby: 1mW (typ.) ◆ On-chip port arbitration logic ◆ Interrupt flags for port-to-port 文件：376.71 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V30S55TFG	文件：628 Kbytes Page：15 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：628 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V30S55TFG	文件：125.28 Kbytes Page：15 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：125.28 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V30S55TFG8	文件：376.71 Kbytes Page：16 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆ High-speed access – Commercial: 25/55ns (max.) – Industrial 35ns (max.) ◆ Low-power operation – IDT71V30S — Active: 375mW (typ.) — Standby: 5mW (typ.) – IDT71V30L — Active: 375mW (typ.) — Standby: 1mW (typ.) ◆ On-chip port arbitration logic ◆ Interrupt flags for port-to-port 文件：376.71 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V30S55TFG8	文件：628 Kbytes Page：15 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：628 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V30S55TFG8	文件：125.28 Kbytes Page：15 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：125.28 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
71V30S55TFGI	文件：125.28 Kbytes Page：15 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM 文件：125.28 Kbytes 页数：15 Pages	IDT	IDT
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产品属性

产品编号：
71V30S55TFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 双端口，异步
存储容量：
8Kb（1K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
64-LQFP
供应商器件封装：
64-TQFP（10x10）
描述：
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 64TQFP

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更多71V30S55TFG供应商更新时间2026-1-29 15:01:00

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