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71V124SA10PHGI8

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

Features ◆128Kx8advancedhigh-speedCMOSstaticRAM ◆JEDECrevolutionarypinout(centerpower/GND)for reducednoise ◆Equalaccessandcycletimes –Commercial:10/12/15ns –Industrial:10/12/15ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆InputsandoutputsareLVTTL-compatible

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

71V124SA10PHGI8

包装:管件 封装/外壳:32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    71V124SA10PHGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-SOIC(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    32-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II

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更多71V124SA10PHGI8供应商 更新时间2024-6-3 18:00:00