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71V256SA12YG	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12YG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71V256SA12PZG	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12PZGI	文件：190.09 Kbytes Page：9 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM256K(32Kx8-Bit) Features ◆Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache ◆Commercial(0°Cto+70°C)andIndustrial(–40°Cto+85°C) temperaturerangeoptions ◆Fastaccesstimes: –CommercialandIndustrial:12/15/20ns ◆Lowstandbycurrent(maximum): –2mAfullstandby ◆Smallpackagesforspace-	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V256SA12YPZG	文件：592.58 Kbytes Page：8 Pages	LowerPower3.3VCMOSFastSRAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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IDT71V256SA12PZ	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71V256SA12TP	文件：67.97 Kbytes Page：6 Pages	LOWPOWER3.3VCMOSFASTSRAM256K(32Kx8-BIT) DESCRIPTION TheIDT71V256SAisa262,144-bithigh-speedstaticRAMorganizedas32Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES •Idealforhigh-performanceprocessorsecondarycache •Commercial(0°to70°C)andIndustrial(-40°to85°C)	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
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产品属性

产品编号：
71V256SA12YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
12ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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