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71V25761S166BGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71V25761S166PFG	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 200MHz 3.1ns clock access time – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global wr 文件：278.36 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71V25761S166PFGI	文件：278.36 Kbytes Page：18 Pages	128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect Features ◆ 128K x 36 memory configuration ◆ Supports high system speed: Commercial and Industrial: – 200MHz 3.1ns clock access time – 183MHz 3.3ns clock access time – 166MHz 3.5ns clock access time ◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode ◆ Self-timed write cycle with global wr 文件：278.36 Kbytes 页数：18 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
IDT71V25761S166BG	文件：513.179 Kbytes Page：23 Pages	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect 文件：513.179 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT

产品属性

产品编号：
71V25761S166BGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

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更多71V25761S166BGI供应商更新时间2026-2-1 13:02:00

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