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71V3557S80BG

Package:119-BGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V3557S80BGI

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V3557S80BGI8

Package:119-BGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V3557S80BG

128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs

Description The IDT71V3557/59 are 3.3V high-speed 4,718,592-bit (4.5 Mega-bit) synchronous SRAMs organized as 128K x 36/256K x 18. They are designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus they have been given the name ZBTTM, or

文件:996.97 Kbytes 页数:28 Pages

IDT

IDT71V3557S80BGG

Synchronous ZBT SRAMs

文件:298.78 Kbytes 页数:28 Pages

IDT

IDT71V3557S80BGGI

Synchronous ZBT SRAMs

文件:298.78 Kbytes 页数:28 Pages

IDT

产品属性

  • 产品编号:

    71V3557S80BG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    119-BGA

  • 供应商器件封装:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

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更多71V3557S80BG供应商 更新时间2026-2-8 8:01:00