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71T75802S166BGI8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations ◆ Supports high performance system speed - 200 MHz (3.2 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W 文件：348.97 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71T75802S166BGI8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs 文件：260.17 Kbytes 页数：26 Pages	IDT	IDT
71T75802S166BGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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瀚佳科技(深圳)有限公司	71T75802S166BGI8	IDT, Integrated Device Technol	24+	119-PBGA(14x22)	56200	一级代理/放心采购	询价
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更多71T75802S166BGI8供应商更新时间2026-2-7 13:02:00