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71T75902S75BG	文件：298.28 Kbytes Page：24 Pages	1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆ 1M x 18 memory configuration ◆ Supports high performance system speed - 100 MHz (7.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRITE) 文件：298.28 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
71T75902S75BG	文件：230.47 Kbytes Page：23 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs 文件：230.47 Kbytes 页数：23 Pages	IDT	IDT
71T75902S75BG8	文件：298.28 Kbytes Page：24 Pages	1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆ 1M x 18 memory configuration ◆ Supports high performance system speed - 100 MHz (7.5 ns Clock-to-Data Access) ◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read cycles ◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the need to control OE ◆ Single R/W (READ/WRITE) 文件：298.28 Kbytes 页数：24 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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71T75902S75BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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产品属性

产品编号：
71T75902S75BG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
18Mb（1M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
119-BGA
供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

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