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71V016SA10BF8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71V016SA10BF8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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71V016SA10BF8

文件：210.22 Kbytes

Page：11 Pages

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

71V016SA10BF8

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：48-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

IDT71V016SA10BF8

文件：100.78 Kbytes

Page：9 Pages

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT

产品属性

产品编号：
71V016SA10BF8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（64K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
3.15V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-LFBGA
供应商器件封装：
48-CABGA（7x7）
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA

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