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IDT71V016SA10BF8	文件：100.78 Kbytes Page：9 Pages	3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71V016SA10BF8	文件：210.22 Kbytes Page：11 Pages	3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit) Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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IDT71V016SA10BF8

文件：100.78 Kbytes

Page：9 Pages

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)

Description TheIDT71V016isa1,048,576-bithigh-speedStaticRAMorganizedas64Kx16.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionfor

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

71V016SA10BF8

文件：210.22 Kbytes

Page：11 Pages

3.3VCMOSStaticRAM1Meg(64Kx16-Bit)

Features ◆64Kx16advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆Equalaccessandcycletimes —Commercial:10/12/15/20ns —Industrial:10/12/15/20ns ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputsdirectly LVTTL-compatible ◆Lowpowerconsumptionviachipdes

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
IDT71V016SA10BF8
功能描述：
IC SRAM 1MBIT 10NS 48FBGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
72
系列：
- 格式 -
存储器：
RAM
存储器类型：
SRAM - 同步
存储容量：
4.5M（256K x 18）
速度：
133MHz
接口：
并联
电源电压：
3.135 V ~ 3.465 V
工作温度：
0°C ~ 70°C
封装/外壳：
100-LQFP
供应商设备封装：
100-TQFP（14x20）
包装：
托盘

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IDT71V016SA10BF8供应商更新时间2024-5-23 14:13:00

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