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71T75802S166PFG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166PFG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFG8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFGI	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFGI8	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT™ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFG8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166PFGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166PFGI8	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166PFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166PFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：100-LQFP 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166BG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166BG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166BGG	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
71T75802S166BGG	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166BGGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
71T75802S166BGGI	文件：348.97 Kbytes Page：28 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT™SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆512Kx36,1Mx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-200MHz (3.2nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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71T75802S166BGI	文件：260.17 Kbytes Page：26 Pages	2.5VSynchronousZBTSRAMsI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
IDT71T75802S166BG	文件：637.94 Kbytes Page：25 Pages	512Kx36,1Mx182.5VSynchronousZBT??SRAMs2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT

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产品属性

产品编号：
71T75802S166PFG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存储容量：
18Mb（1M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	71T75802S166PFG	RENESAS(瑞萨)/IDT	2022+原装正品	TQFP-100(14x14)	18000	支持工厂BOM表配单公司只做原装正品货	询价
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讯运(深圳/上海)电子有限公司	71T75802S166PFG	RENESAS(瑞萨)/IDT	2021+	TQFP-100(14x14)	499		询价

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