70T633S10BFG8技术资料参数批发采购瑞萨-114ic电子网

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70T633S10BFG8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
70T633S10BFG8	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S10BFG8	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDTIntegrated Device Technology, Inc. 集成器深圳市集成器件技术有限公司	IDT
70T633S10BFG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：208-LFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多70T633S10BFG8供应商更新时间2024-4-30 13:02:00