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70T633S12BFGI8	文件：513.809 Kbytes Page：28 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE Features ◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous access of the same memory location ◆ High-speed access – Commercial: 10/12/15ns (max.) – Industrial: 10/12ns (max.) ◆ RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write cycles ◆ Dual chip enables allow for depth expansion 文件：513.809 Kbytes 页数：28 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
70T633S12BFGI8	文件：437.45 Kbytes Page：27 Pages	HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：437.45 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT
70T633S12BFGI8	文件：251.71 Kbytes Page：27 Pages	ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM 文件：251.71 Kbytes 页数：27 Pages	IDT	IDT
70T633S12BFGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：208-LFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

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