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6ED2231S12T	文件：1.53883 Mbytes Page：25 Pages	1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP Features InfineonThin-Film-SOItechnology Fullyoperationalto+1200V OptimizedforIGBT(insulatedgatebipolartransistor) /SiC(Siliconcarbide)MOSFET IntegratedUltra‐fastBootstrapDiode Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Outputsource/sinkcurrentcapabil	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
6ED2231S12TXUMA1	文件：1.53883 Mbytes Page：25 Pages	1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP Features InfineonThin-Film-SOItechnology Fullyoperationalto+1200V OptimizedforIGBT(insulatedgatebipolartransistor) /SiC(Siliconcarbide)MOSFET IntegratedUltra‐fastBootstrapDiode Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Outputsource/sinkcurrentcapabil	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP

Features InfineonThin-Film-SOItechnology Fullyoperationalto+1200V OptimizedforIGBT(insulatedgatebipolartransistor) /SiC(Siliconcarbide)MOSFET IntegratedUltra‐fastBootstrapDiode Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Outputsource/sinkcurrentcapabil

InfineonInfineon Technologies AG

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