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6ED2231S12TXUMA1	文件：1.53883 Mbytes Page：25 Pages	1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP Features  Infineon Thin-Film-SOI technology  Fully operational to +1200 V  Optimized for IGBT (insulated gate bipolar transistor) / SiC(Silicon carbide) MOSFET  Integrated Ultra‐fast Bootstrap Diode  Floating channel designed for bootstrap operation  Output source/sink current capabil 文件：1.53883 Mbytes 页数：25 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多6ED2231S12TXUMA1供应商更新时间2025-10-10 14:01:00