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6681Z

型号:FDS6681Z;Package:SOP-8;P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features RDS(ON)=5.2mQ@VGs=-10V RDS(ON) =9.5mQ@VGs=-4V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

文件:1.09679 Mbytes 页数:3 Pages

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    6681Z

  • 功能描述:

    MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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