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6681Z | 型号:FDS6681Z;Package:SOP-8;P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features RDS(ON)=5.2mQ@VGs=-10V RDS(ON) =9.5mQ@VGs=-4V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 文件:1.09679 Mbytes 页数:3 Pages | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC |
详细参数
- 型号:
6681Z
- 功能描述:
MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
模块 |
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美国德州仪器TEXASINSTRUMENTS原厂代理辉华拓展内地现 |
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SOP8 |
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SOP-8 |
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更新时间2025-8-5 11:16:00
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