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FDS6681Z中文资料台舟电子数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDS6681Z

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

6681Z

封装外壳

SOP-8

文件大小

1.09679 Mbytes

页面数量

3 页

生产厂商

TECHPUBLIC

中文名称

台舟电子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-10-4 0:02:00

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FDS6681Z规格书详情

特性 Features

RDS(ON)=5.2mQ@VGs=-10V

RDS(ON) =9.5mQ@VGs=-4V

Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability

产品属性

  • 型号:

    FDS6681Z

  • 功能描述:

    MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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SOP8
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