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62P	文件：1.81406 Mbytes Page：4 Pages	型号：NUP2202W1T2G；Package：SOT-363；Low Capactiance 2-Line ESD Protection Features ●Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(I/OtoI/O) ●Ultralowleakage:nAlevel ●Lowoperatingvoltage:5V ●LowclampingvoltageUpto2datalinesandonepowerlineprotects ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Cont	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
62P3LLH6	文件：1.17386 Mbytes Page：16 Pages	型号：STL62P3LLH6；Package：PowerFLAT；P-channel -30 V, 9 m廓 typ., -62 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness 	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：NUP2202W1T2G；Package：SOT-363；Low Capactiance 2-Line ESD Protection

Features ●Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(I/OtoI/O) ●Ultralowleakage:nAlevel ●Lowoperatingvoltage:5V ●LowclampingvoltageUpto2datalinesandonepowerlineprotects ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Cont

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

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62P3LLH6

文件：1.17386 Mbytes

Page：16 Pages

型号：STL62P3LLH6；Package：PowerFLAT；P-channel -30 V, 9 m廓 typ., -62 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET™H6technology, withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness 

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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