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丝印:62P3LLH6;Package:PowerFLAT;P-channel -30 V, 9 m廓 typ., -62 A STripFET??H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages Features  Very low on-resistance  Very low gate charge  High avalanche ruggedness  文件:1.17386 Mbytes 页数:16 Pages  | STMICROELECTRONICS 意法半导体  | STMICROELECTRONICS  | 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
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            更新时间2025-11-4 20:53:00
        
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