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Marking：60S1K0CE；Package：PG-TO252；600V CoolMOS짧 CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：60S1K0CE；Package：PG-TO251；600V CoolMOS짧 CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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