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IPD60R650CE	文件：1.22369 Mbytes Page：16 Pages	丝印：60S650CE；Package：PG-TO252；600V CoolMOS짧 CE Power Transistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications 文件：1.22369 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS60R650CE	文件：969.78 Kbytes Page：13 Pages	丝印：60S650CE；Package：PG-TO251；600V CoolMOS짧 CE Power Transistor 600V CoolMOSª CE Power Transistor Features • Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eos • Very high commutation ruggedness • Easy to use/drive • Pb-free plating, Halogen free mold compound • Qualified for standard grade applications Applications PFC stages, hard switching 文件：969.78 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多60S650CE供应商更新时间2025-9-10 10:26:00