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IPD60R1K0CE中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD60R1K0CE

功能描述

600V CoolMOS짧 CE Power Transistor

丝印标识

60S1K0CE

封装外壳

PG-TO252

文件大小

1.55701 Mbytes

页面数量

14

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 23:01:00

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IPD60R1K0CE规格书详情

特性 Features

•ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

•Veryhighcommutationruggedness

•Easytouse/drive

•Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

•Qualifiedforstandardgradeapplications

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