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IAUTN12S5N018G	文件：1.46223 Mbytes Page：12 Pages	丝印：5N12N018；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor Potential applications General automotive applications. Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – enhancement mode – normal level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175° 文件：1.46223 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUTN12S5N018T	文件：1.61799 Mbytes Page：12 Pages	丝印：5N12N018；Package：PG-HDSOP-16-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – enhancement mode – normal level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100% avalan 文件：1.61799 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多5N12N018供应商更新时间2025-9-19 14:42:00