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5N12N018	文件：1.46223 Mbytes Page：12 Pages	型号：IAUTN12S5N018G；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor Potentialapplications Generalautomotiveapplications. Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–enhancementmode–normallevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
5N12N018	文件：1.61799 Mbytes Page：12 Pages	型号：IAUTN12S5N018T；Package：PG-HDSOP-16-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–enhancementmode–normallevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%avalan	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IAUTN12S5N018G；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor

Potentialapplications Generalautomotiveapplications. Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–enhancementmode–normallevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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型号：IAUTN12S5N018T；Package：PG-HDSOP-16-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor

Features •OptiMOS™powerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–enhancementmode–normallevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%avalan

InfineonInfineon Technologies AG

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