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5N1L094D	文件：1.21062 Mbytes Page：12 Pages	型号：IAUCN10S5L094D；Package：PG-TDSON-8-60；OptiMOSTM 5 Power-Transistor Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–LogicLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avalan	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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5N1L094D

文件：1.21062 Mbytes

Page：12 Pages

型号：IAUCN10S5L094D；Package：PG-TDSON-8-60；OptiMOSTM 5 Power-Transistor

Features •OptiMOSTMpowerMOSFETforautomotiveapplications •N-channel–Enhancementmode–LogicLevel •ExtendedqualificationbeyondAEC-Q101 •Enhancedelectricaltesting •Robustdesign •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •RoHScompliant •100%Avalan

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