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IKW50N60T	文件：417.9 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60T	文件：598.76 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW50N60TA	文件：951.92 Kbytes Page：14 Pages	DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication Features: AutomotiveAECQ101qualified DesignedforDC/ACconvertersforAutomotiveApplication VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5µs TRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologyfor600V applicationsoffers: -ve	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IXFH50N60X	文件：381.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH50N60X	文件：190.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFQ50N60	文件：312.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=180mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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