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4435GH	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：109 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
4435GM	文件：1.0031 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0031 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4435M	文件：1.00302 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00302 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4435S	文件：1.00297 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00297 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4435SC	文件：1.00292 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00292 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4435W	文件：1.00286 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00286 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
4435WS	文件：1.00278 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00278 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4435A	文件：2.88112 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4435A；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES @ Vos =-30Vio=-9A @ Ros(on = 20m@Ves=10V @ Ros(on = 35mO@Ves=4.5V 文件：2.88112 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
CEM4435A	文件：2.886 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4435A；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES \| @ Vos=-30Vjo= 9A \| © Rosczmogesmioy \| ® Ros(Ov=35mO@Ves=4.5V \| 文件：2.886 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4435GM；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：202.58 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER

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产品属性

产品编号：
4435
制造商：
Adafruit Industries LLC
类别：
盒子，外壳，机架 > 箱
包装：
散装
容器类型：
盒
大小 / 尺寸：
3.150" 长 x 1.970" 宽（80.00mm x 50.00mm）
面积 (L x W)：
6.21in²（40.1cm²）
设计：
开端
材料：
塑料
颜色：
黑色
特性：
DIN 导轨安装
描述：
BOX PLAS BLK 3.15\

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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