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G40N60UFD	文件：577.53 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HMG40N60A	文件：750.81 Kbytes Page：5 Pages	40A,600Vinsulatedgatebipolartransistor	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMG40N60T	文件：1.22062 Mbytes Page：6 Pages	600V,40A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IGW40N60DTP	文件：1.46423 Mbytes Page：14 Pages	600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40N60TP	文件：1.46423 Mbytes Page：14 Pages	600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IGW40N60TP	文件：1.46177 Mbytes Page：14 Pages	TRENCHSTOPTMPerformancetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40N60R	文件：2.06634 Mbytes Page：15 Pages	ReverseconductingIGBT	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：794.56 Kbytes Page：12 Pages	powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40N60T	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW40N60T	文件：385.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFPS40N60K	文件：140.34 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET-RPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH40N60	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
40N60
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	40N60	FSC	2020+	TO-3P	16800	绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!	询价
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更多40N60供应商更新时间2024-6-3 16:34:00

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