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PSMN3R5-30YL	文件：334.7 Kbytes Page：13 Pages	丝印：3R530；Package：SOT669；N-channel 30 V 3.5 mΩ logic level MOSFET in LFPAK 1. General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and communications applications. 2. Features and benefits • High efficiency due to low swit 文件：334.7 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多3R530供应商更新时间2025-9-21 22:59:00