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PSMN3R5-30YL规格书详情
1. General description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package
using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in industrial and
communications applications.
2. Features and benefits
• High efficiency due to low switching and conduction losses
• Suitable for logic level gate drive sources
3. Applications
• Class-D amplifiers
• DC-to-DC converters
• Motor control
• Server power supplies
产品属性
- 型号：
PSMN3R5-30YL
- 功能描述：
MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2450+ |
SOT-669 |
9850 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-669 |
200000 |
全新原装正品长期有货假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT669 |
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恩XP |
24+ |
SMD |
50 |
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT669 |
11500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
9865 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT-669 |
18000 |
原装正品 |
询价 |
