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3S2	文件：250.86 Kbytes Page：6 Pages	型号：FMBM5551；Package：SSOT6L；NPN General-Purpose Amplifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3S2M	文件：294.37 Kbytes Page：5 Pages	型号：NSVT5551MR6；Package：TSOT236；NPN General-Purpose Amplifier Features •ThisDeviceHasMatchedDies •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3S2859	文件：2.3642 Mbytes Page：34 Pages	型号：OPA3S2859MRTWREP；Package：WQFN；OPA3S2859-EP Enhanced Product, Dual-Channel, 900-MHz, 2.2-nV/√Hz, Programmable Gain Transimpedance Amplifier 1Features •Gainbandwidthproduct:900MHz •Internalswitchesforprogrammablegain •HighimpedanceFETinputs •Inputvoltagenoise:2.2nV/√Hz •Slewrate:350V/μs •Supplyvoltagerange:3.3Vto5.25V •Quiescentcurrent:22mA/channel •PowerdownmodeIQ:75μA •Temperaturer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
3S2859	文件：2.3642 Mbytes Page：34 Pages	型号：V62/22603-01XE；Package：WQFN；OPA3S2859-EP Enhanced Product, Dual-Channel, 900-MHz, 2.2-nV/√Hz, Programmable Gain Transimpedance Amplifier 1Features •Gainbandwidthproduct:900MHz •Internalswitchesforprogrammablegain •HighimpedanceFETinputs •Inputvoltagenoise:2.2nV/√Hz •Slewrate:350V/μs •Supplyvoltagerange:3.3Vto5.25V •Quiescentcurrent:22mA/channel •PowerdownmodeIQ:75μA •Temperaturer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
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3S2859	文件：2.37169 Mbytes Page：34 Pages	型号：OPA3S2859MRTWREP；Package：WQFN；OPA3S2859-EP Enhanced Product, Dual-Channel, 900-MHz, 2.2-nV/?숰z, Programmable Gain Transimpedance Amplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

型号：
3S2
功能描述：
两极晶体管 - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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