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3R9EQBA	文件：304.48 Kbytes Page：13 Pages	型号：GANE3R9-150QBA；Package：VQFN7；150 V, 3.9 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN) 1.Generaldescription TheGANE3R9-150QBAisaageneralpurpose150V,3.9mΩGalliumNitride(GaN)FETina Very-Thin-ProfileQuadFlatNo-LeadPackage(VQFN)package.Itisanormally-offe-modedevice offeringsuperiorperformanceandverylowon-stateresistance. 2.Featuresandbenefit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

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型号：GANE3R9-150QBA；Package：VQFN7；150 V, 3.9 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN)

1.Generaldescription TheGANE3R9-150QBAisaageneralpurpose150V,3.9mΩGalliumNitride(GaN)FETina Very-Thin-ProfileQuadFlatNo-LeadPackage(VQFN)package.Itisanormally-offe-modedevice offeringsuperiorperformanceandverylowon-stateresistance. 2.Featuresandbenefit

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