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3DD103C	文件：272.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD11E	文件：252.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD12E	文件：213.66 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=16A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD12E-H	文件：216.4 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=600V(Min) ·CollectorCurrent-Continuous -IC=25A APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Converters ·PowerAmplifiers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD13001	文件：1.80126 Mbytes Page：5 Pages	Marking：13001S6D；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Powerswitchingapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
3DD13001A	文件：223.58 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Electronicballasts ●Highfrequencyswitchingpowersupply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifiercircuit	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13001A-O-T-B-A	文件：223.58 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Electronicballasts ●Highfrequencyswitchingpowersupply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifiercircuit	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13001A-O-T-N-C	文件：223.58 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Electronicballasts ●Highfrequencyswitchingpowersupply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifiercircuit	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
3DD13001B	文件：1.53008 Mbytes Page：4 Pages	Marking：13001S6B；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE powerswitchingapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
3DD13001B-TA	文件：1.53008 Mbytes Page：4 Pages	Marking：13001S6B；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURE powerswitchingapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市河锋鑫科技有限公司	3DD127D	华晶	TO-126F	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

更多3DD1供应商更新时间2023-10-9 11:26:00

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