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3DD103C

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 4V(Max)@ IC= 3A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , DC-DC converts

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ISC

无锡固电

3DD103E

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:288.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

3DD13003

CJ/长电
TO-126

CJ/长电

3DD13003A

JUF
TO-126

JUF

3DD13007X1

CRMICRO华润微
TO-220AB

CRMICRO华润微

上传:深圳市乐创天科技有限公司

CRMICRO华润微

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