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3DD11D	文件：264.09 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：264.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD11E	文件：252.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE=15~180@IC = 15A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS)=250V(Min) ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications 文件：252.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD13003	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-126	CJ/长电上传：深圳市亚泰盈科电子有限公司	CJ/长电
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晶体管资料

型号：
3DD11D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
300W
放大倍数：
图片代号：
E-63
vtest：
110
htest：
999900
atest：
30
wtest：
300

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