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3DD155	文件：300.5 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD155D	文件：272.41 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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3DD155

文件：300.5 Kbytes

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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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