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3DD155	文件：300.5 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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3DD155

文件：300.5 Kbytes

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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15-120@IC=1A ·Collector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=1A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforB&WTVhorizontaloutput,regulatedpower supplyandpowe

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晶体管资料

型号：
3DD155G
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
400
htest：
999900
atest：
4
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
无锡固电半导体股份有限公司	3DD156	isc	2024	F-1/F-2	150	国产品牌isc,可替代原装	询价
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北京三盛恒业电子有限公司	3DD156AJ橙	CHINA		TO-66	100	原装现货实单可谈	询价
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深圳市振芯物联科技有限公司	3DD15B	卫光	22+	TO-3	32350	原装正品假一罚十公司现货	询价

更多3DD155G供应商更新时间2024-4-28 12:05:00

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