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3DD15D	文件：281.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD15D	文件：135.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
3DD15	文件：190.89 Kbytes Page：2 Pages	Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多3DD15D供应商更新时间2025-5-11 17:06:00