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3DD15D	文件：281.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 200V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~250(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V(Max)@ IC= 2.5A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·D 文件：281.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD15A	文件：191.19 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.) 文件：191.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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3DD15C	文件：190.48 Kbytes Page：2 Pages	Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 150V(Min.) 文件：190.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
3DD15D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
行输出（HA）_电源用（Reg）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
200
htest：
999900
atest：
5
wtest：
50

详细参数

型号：
3DD15D
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
Silicon NPN Power Transistors

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