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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.) | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.) | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.) | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.) | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SiliconNPNPowerTransistors | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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