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3DD155D

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:272.41 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

3DD155

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE= 15-120@IC= 1A ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 1A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output , regulated power supply and powe

文件:300.5 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

3DD15D

TO-3P

3DG12

T0-39

CHINA

3DG120A

12

CHINA

晶体管资料

  • 型号:

    3DD155D

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    200V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    200

  • htest:

    999900

  • atest:

    4

  • wtest:

    20

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更多3DD155D供应商 更新时间2026-1-17 13:52:00