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3DD155D	文件：272.41 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：272.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
3DD155	文件：300.5 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·DC Current Gain : hFE= 15-120@IC= 1A ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 1A ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for B&W TV horizontal output , regulated power supply and powe 文件：300.5 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多3DD155D供应商更新时间2025-10-10 11:08:00