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3DD103C	文件：272.57 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min.) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=4V(Max)@IC=3A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforpoweramplifier,DC-DCconverts

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无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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