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3DD11E	文件：252.86 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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DESCRIPTION ·DCCurrentGain :hFE=15~180@IC=15A ·Collector-EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=250V(Min) ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseingeneralpurposepoweramplifierand switchingapplications

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晶体管资料

型号：
3DD11B-T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
30A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
300W
放大倍数：
图片代号：
E-63
vtest：
100
htest：
999900
atest：
30
wtest：
300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	3DD11G		24+		3		询价
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更多3DD11B-T供应商更新时间2025-5-15 16:30:00

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