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3DD12E中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

3DD12E

功能描述

Silicon NPN Power Transistor

文件大小

213.66 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-27 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    3DD12E

  • 别名:

    3DD12E三极管、3DD12E晶体管、3DD12E晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    600V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    600

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    50

3DD12E规格书详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= 600V(Min)

· Collector Current-Continuous

-IC=16A

APPLICATIONS

· Switching Regulators

· Converters

· Power Amplifiers

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CJ/长晶
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